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元件参数资料
>
参数目录40007
> STS1DNC45 MOSFET N-CHAN 450V 0.4A 8-SOIC
型号:
STS1DNC45
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
STMicroelectronics
描述:
MOSFET N-CHAN 450V 0.4A 8-SOIC
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
STS1DNC45 PDF
其它有关文件
STS1DNC45 View All Specifications
标准包装
2,500
系列
SuperMESH™
FET 型
2 个 N 沟道(双)
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
450V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
400mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
4.5 欧姆 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
3.7V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
10nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
160pF @ 25V
功率 - 最大
1.6W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装
8-SO
包装
带卷 (TR)
其它名称
497-12678-2
STS1DNC45-ND
查看STS1DNC45代理商
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